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全彩化關(guān)鍵突破!晶能成功制備硅襯底紅光Micro LED

時間:2021-09-06 來源: 點擊:1032


日前,晶能光電成功制備了紅、綠、藍三基色硅襯底GaN基Micro LED陣列,在Micro LED全彩芯片開發(fā)上前進了關(guān)鍵一步。

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微米尺寸的MicroLED制備已經(jīng)脫離了普通LED工藝而進入了IC制程。大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優(yōu)勢,已成為Micro LED制備的主流技術(shù)路線。在國際上,Aledia、Plessey、ALLOS?、STRATACACHE等公司都在專注于硅襯底Micro LED開發(fā)。主要消費電子產(chǎn)業(yè)巨頭更是在這一領(lǐng)域投入大量資源,以期在AR、VR等可穿戴設備的巨大市場中拔得頭籌。

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Micro LED走向大規(guī)模應用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色Micro LED芯片。目前綠光和藍光的GaN材料體系已經(jīng)成熟,并滿足Micro LED制程開發(fā)的要求。但對于紅光Micro LED,傳統(tǒng)的紅光AlInGaP體系因為其材料較脆和側(cè)壁上非輻射復合嚴重,面臨著良率和光效兩方面的重大技術(shù)瓶頸。所以,開發(fā)InGaN基紅光LED,特別是大尺寸硅襯底上InGaN基紅光LED被業(yè)界寄以厚望。

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晶能光電的芯片總監(jiān)黃濤介紹,本次報道的硅襯底InGaN紅、綠、藍Micro LED陣列的像素點間距為25微米,像素密度為1000PPI,在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率(36mil,650nm峰值波長)為3.5%,EL的半高寬為70nm。晶能光電這一成果發(fā)布,標志其成為國內(nèi)首家實現(xiàn)硅襯底GaN基三基色Micro LED的生產(chǎn)企業(yè)。


圖為晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列.jpg

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列


晶能光電外延副總裁表示,晶能光電是全球最大的硅襯底GaN基LED生產(chǎn)企業(yè),十余年來持續(xù)引進人才以保證硅襯底GaN產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級迭代。目前晶能光電的硅襯底GaN基LED產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了從365nm到660nm的可見光范圍,并且實現(xiàn)了優(yōu)秀的量產(chǎn)良率、波長集中度、光效、和可靠性。2018年,晶能光電開始硅襯底Micro LED開發(fā)。付羿表示,晶能非常重視硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產(chǎn)業(yè)上的巨大應用前景,但必須要持續(xù)努力去解決諸如InGaN紅光光效、發(fā)光半高寬、和最終的全彩化方案等關(guān)鍵問題,而且需要整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同,才能實現(xiàn)Micro LED顯示技術(shù)的規(guī)模應用。


圖為晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜.png

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜


圖為晶能光電展示的36mil尺寸硅襯底GaN基紅光LED光譜.png

圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜




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