晶能光電硅基大功率LED晶圓量產(chǎn)入選“全球半導體照明2012年度新聞”
近日,國際半導體照明聯(lián)盟(ISA)在廣州舉行年度成員大會,并正式發(fā)布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結(jié)果。晶能光電作為“全球首家量產(chǎn)硅基大功率LED芯片的公司”成功入選了“全球半導體照明2012年度新聞”。
同時入選ISA2012年度新聞的還包括:半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新實驗室的建立,科銳SC3技術(shù)平臺,全球首家GaN 襯底GaN發(fā)光芯片使LED技術(shù)進入新階段:LED2.0,菲利普在貴陽村莊設(shè)立太陽能路燈等,晶能光電全球首家硅基大功率LED芯片量產(chǎn)的新聞按照得分高低排名第二。
“全球半導體照明年度新聞”是全球半導體照明領(lǐng)域最具影響力的新聞事件,此次新聞事件體現(xiàn)了硅基大功率LED芯片量產(chǎn)對于半導體照明的重要意義,也再次確認晶能光電在硅基LED芯片研發(fā)制造方面的全球領(lǐng)先地位。
另外,第九屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇也于2012年11月5日至7日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉行。晶能光電公司展示了包括28mil、35mil、45mil、55mil在內(nèi)的多款硅基大功率LED芯片產(chǎn)品,通過此次展會讓更多人進一步了解硅基LED芯片產(chǎn)品。
晶能光電擁有的硅基LED技術(shù),具有完整的自主知識產(chǎn)權(quán),目前已申請或獲得國際國內(nèi)各種專利200余項,在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外,形成了第三條半導體照明技術(shù)路線。相比藍寶石襯底、碳化硅襯底技術(shù),晶能光電目前硅襯底LED技術(shù)生產(chǎn)的芯片具有如下三大優(yōu)勢:(一)具有原創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán),產(chǎn)品可銷往國際市場,不受國際專利限制;(二)具有優(yōu)良的性能:器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好;(三)器件封裝工藝簡單,垂直結(jié)構(gòu)芯片,適合做熒光粉直涂工藝,節(jié)約封裝成本。