2013年4月11日，“2013中國LED產(chǎn)業(yè)健康產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇暨第五屆中國LED行業(yè)（2012）年度評選頒獎典禮”在深圳舉行，晶能光電的“GaN-On-Si LED外延芯片制備技術(shù)/硅基大功率藍(lán)光芯片” 榮獲“2012中國LED行業(yè)創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品獎”。

此次評選活動是在工業(yè)和信息化部電子信息司的指導(dǎo)下，由中國電子報、中國半導(dǎo)體照明/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟主辦、中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會、中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會LED顯示應(yīng)用分會聯(lián)合主辦的針對我國LED企業(yè)進(jìn)行的評選。評選通過企業(yè)自薦申報與協(xié)會專家推薦確定參選入圍名單、經(jīng)來自業(yè)界專家組成的評委會評審等步驟最終評定獲獎企業(yè)。晶能光電作為“全球首家量產(chǎn)硅基大功率LED芯片的公司”，以硅基大功率LED藍(lán)光芯片獲獎充分體現(xiàn)了硅基大功率LED芯片量產(chǎn)對于半導(dǎo)體照明的重要意義，也再次確認(rèn)晶能光電在硅基LED芯片研發(fā)制造方面的全球領(lǐng)先地位。

去年晶能光電推出了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在內(nèi)的四款硅基大功率LED芯片，其中45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率已經(jīng)提高到130lm/W，產(chǎn)品封裝后藍(lán)光功率最高可達(dá)615mW，白光光通量最高可達(dá)145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達(dá)140lm/W。

晶能光電一貫重視研發(fā)創(chuàng)新，在硅襯底LED技術(shù)方面具有核心競爭力，擁有的硅基氮化鎵LED材料與器件技術(shù)是一項改寫半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)，在藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導(dǎo)體照明技術(shù)路線。針對硅襯底LED芯片技術(shù)申請了國際國內(nèi)207項專利，其中PCT專利32項，且已在美國、歐盟、日本和韓國等國家或地區(qū)提出了申請，形成了中國唯一一家擁有IP專利垂直整合的LED照明公司。

晶能光電目前硅襯底LED技術(shù)生產(chǎn)的芯片具有如下三大優(yōu)勢：

（一）具有原創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品可銷往國際市場，不受國際專利限制；

（二）具有優(yōu)良的性能：器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好；

（三）器件封裝工藝簡單，垂直結(jié)構(gòu)芯片，適合做熒光粉直涂工藝，節(jié)約封裝成本。

晶能光電具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅基LED芯片在全球范圍的首次量產(chǎn)實現(xiàn)了中國LED芯片的夢想。 晶能光電將在此基礎(chǔ)上，通過進(jìn)一步的技術(shù)提升和產(chǎn)能擴大，為LED照明的快速發(fā)展做出進(jìn)一步的貢獻(xiàn)。