2021年12月7日， 在深圳舉辦了“2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)”。晶能光電應(yīng)邀參加，大會(huì)上晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯分享了《硅基氮化鎵Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展與未來(lái)》的主題報(bào)告。

演講中，晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯為大家分享了硅襯底Mini LED和Micro LED的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。在談到Mini LED時(shí)，郭經(jīng)理詳細(xì)介紹了晶能光電的硅襯底全垂直結(jié)構(gòu)Mini LED產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)劃并介紹了Mini LED 超高清顯示屏應(yīng)用進(jìn)展和正在開發(fā)中的TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案。同時(shí)也介紹了在超高清顯示屏應(yīng)用中硅襯底全垂直結(jié)構(gòu)Mini LED產(chǎn)品有著光品質(zhì)優(yōu)良、垂直發(fā)光沒有側(cè)光、對(duì)比度高；同時(shí)具有良好的耐電流沖擊和抗靜電能力；產(chǎn)品一致性好、穩(wěn)定性好、可靠性高；沒有金屬Cr可完全避免金屬離子遷移問(wèn)題等幾大優(yōu)勢(shì)。

在Micro LED部分，他指出，相比成熟的OLED技術(shù)，Micro LED顯示技術(shù)具有低功耗；高對(duì)比度、高亮度；超高解析度和色彩飽和度；高刷新率，壽命長(zhǎng)、穩(wěn)定性好；寬色域、寬視角；透明性、無(wú)縫銜接等先天優(yōu)勢(shì)。但是在開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中還存在很多的困難，其中紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一，開發(fā)高效的GaN基紅光Micro LED成為當(dāng)務(wù)之急。

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郭嘯表示晶能光電的GaN基 LED技術(shù)在這方面有著很大的優(yōu)勢(shì)，由于硅襯底GaN與硅半導(dǎo)體晶圓的物理兼容性，硅襯底Micro LED在制程良率和制造成本上有明顯的優(yōu)勢(shì)，可以最大效能利用現(xiàn)有資源，同時(shí)避開巨量轉(zhuǎn)移問(wèn)題，晶能光電優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究，應(yīng)用AR/VR/HUD/HMD等方向，硅基GaN與硅基CMOS驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行晶圓級(jí)邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。