近日，晶能光電(江西)有限公司「硅襯底發(fā)光二極體材料與器件」產(chǎn)業(yè)化專案一期工程竣工，2008年4月30日上午舉行了竣工投產(chǎn)典禮。今年5月份開始量產(chǎn)，形成年產(chǎn)30億顆芯片的產(chǎn)能。

晶能光電(江西)有限公司專門從事硅襯底氮化鎵基LED外延片材料與芯片生產(chǎn)的高科技企業(yè)，坐落在南昌國家高新區(qū)美麗的贛江之濱艾溪湖畔。

在氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光材料領(lǐng)域，晶能光電(南昌大學(xué))創(chuàng)造性發(fā)展出第三條半導(dǎo)體照明技術(shù)路線。該技術(shù)是一種改寫氮化鎵基LED歷史的新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)，已獲得或者公開國際國內(nèi)發(fā)明專利47項。該專案先后得到了在科技部863計畫、資訊產(chǎn)業(yè)部電子發(fā)展基金、教育部和江西省、南昌市等各類科技計畫的資助。

晶能光電目前生產(chǎn)的LED芯片具有如下三大特點：

(一)具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)：產(chǎn)品可銷往國際市場。

(二)具有優(yōu)良的性能：產(chǎn)品抗靜電性能好，壽命長，可承受的電流密度高。

(三)器件封裝工藝簡單：芯片為上下電極，單引線垂直結(jié)構(gòu)，在器件封裝時只需單電極引線，簡化了封裝工藝，節(jié)約了封裝成本。