晶能光電此次由外延工藝經(jīng)理周名兵分享了以《硅基氮化鎵Micro LED外延與器件研究進(jìn)展》為主題的報(bào)告。報(bào)告指出Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來將擁有千億級的市場，將在要求高分辨率、高亮度、高對比度的AR、HUD、車用照明和顯示、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

（晶能光電外延工藝經(jīng)理周名兵）

目前Micro LED產(chǎn)業(yè)化仍面臨著關(guān)鍵技術(shù)和成本的挑戰(zhàn)，包括紅光光效、巨量轉(zhuǎn)移、晶圓鍵合、及全彩化工藝，迫切需要提升良率，并優(yōu)化檢測和修復(fù)技術(shù)。

從產(chǎn)業(yè)化角度，利用大尺寸硅襯底GaN技術(shù)制備Micro LED，具有低成本、高良率、無損去硅、低翹曲、CMOS兼容性等諸多優(yōu)勢。

8英寸的襯底相比于4英寸的襯底，單位襯底面積的Micro LED芯片產(chǎn)出增加了25%。利用8英寸硅襯底制備Micro LED，每個(gè)顯示模組的BOM成本只有4英寸藍(lán)寶石方案上的30%（含外延、芯片和CMOS）。

Micro LED產(chǎn)業(yè)化要求高良率的類IC制程，8英寸及以上的硅襯底GaN技術(shù)是實(shí)現(xiàn)Micro LED制備和硅IC工藝兼容的重要途徑。

紅光光效是Micro LED技術(shù)面臨的關(guān)鍵瓶頸之一，現(xiàn)有的AlInGaP紅光LED材料力學(xué)性能差，側(cè)壁效應(yīng)使EQE急劇下降。InGaN基紅光Micro LED被認(rèn)為是突破紅光瓶頸的重要解決方案。晶能光電在InGaN紅光LED的開發(fā)上取得初步成果。在36mil芯片樣品上，1A/cm2的電流密度下EQE為2.7%，峰值波長670nm,發(fā)光半高寬小于60nm.

晶能光電擁有領(lǐng)先的硅襯底LED技術(shù)，是擁有大規(guī)模生產(chǎn)制造能力的硅襯底LED生產(chǎn)企業(yè)。公司的硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋外延、芯片、器件、模組，并開發(fā)了高光效、高良率、大尺寸的近紫外、紅、綠、藍(lán)硅襯底GaN基LED外延片，并成功制備了三基色GaN Micro LED顯示陣列。

未來晶能光電將發(fā)揮硅襯底GaN技術(shù)及完整產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢，與行業(yè)同仁通力合作打破材料和技術(shù)的瓶頸，共同推動Micro LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。