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干貨|硅襯底GaN LED技術(shù)于Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)應(yīng)用機遇與挑戰(zhàn)

時間:2023-04-03 來源: 點擊:1302

2023年3月30日,由TrendForce集邦咨詢旗下LEDinside、WitsView主辦的集邦咨詢新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會圓滿召開,上千名產(chǎn)業(yè)上下游代表共襄盛舉,共論新型顯示行業(yè)未來。晶能光電外延工藝經(jīng)理周名兵參加會議并分享了干貨滿滿的《硅襯底GaN LED技術(shù)于Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)應(yīng)用機遇與挑戰(zhàn)》。

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Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來擁有千億級的市場,報告指出了Micro LED的優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用,Micro LED在亮度、能效、可靠性、響應(yīng)時間、色彩飽和度、厚度、尺寸等方面具有優(yōu)異的性能,市場潛力巨大,但目前也存在較大的技術(shù)挑戰(zhàn),包括有效EQE有待提升;生產(chǎn)成本高,生產(chǎn)良率低;亮度一致性差;灰度響應(yīng)/亮度漸變效果差;尚無理想的全彩方案等。


大尺寸硅襯底GaN LED技術(shù)已經(jīng)成為開發(fā)面向AR微顯Micro LED的主流路線,國內(nèi)外大多數(shù)的Micro LED公司都在研究,主要是基于硅襯底的Micro LED具有大尺寸、低成本、高波長一致性、無損去除、低翹曲、CMOS兼容性等優(yōu)點。

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晶能光電在硅襯底GaN技術(shù)領(lǐng)域已深耕近二十年,在藍光LED領(lǐng)域率先實現(xiàn)全球產(chǎn)業(yè)化。公司將硅襯底GaN根技術(shù)應(yīng)用于Micro LED,于2021年9月成功制備了RGB硅襯底Micro LED陣列,邁出了全彩化Micro LED芯片的關(guān)鍵性一步,成為全球第二家、國內(nèi)第一家掌握硅襯底RGB三色Micro LED芯片技術(shù)的公司。


對于實現(xiàn)全彩Micro LED來說,紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一,其效率、FWHM和波長漂移將會面臨重大挑戰(zhàn)。晶能光電在InGaN紅光LED外延方面取得了峰值EQE11.8%@1mm2的成果,處于行業(yè)領(lǐng)先水平。目前,晶能光電可向國內(nèi)外客戶提供標準厚度8英寸RGB InGaN LED外延片。


今年初,晶能光電開發(fā)出5 微米pitch的像素矩陣,年底將發(fā)布帶驅(qū)動的RGB三色陣列。接下來,我們將運用硅襯底Micro LED顯示技術(shù),在AR眼鏡、矩陣車燈、HUD等方向,探究硅襯底Micro LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。


資料來源:LEDinside


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