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晶能光電:積極布局LED閃光燈市場(chǎng)

時(shí)間:2014-06-17 來(lái)源:新世紀(jì)論壇 點(diǎn)擊:7290

2014年6月10日,作為全球硅襯底LED技術(shù)的主導(dǎo)者,晶能光電LED閃光燈項(xiàng)目負(fù)責(zé)人魏晨雨在2014年新世紀(jì)LED峰會(huì)芯片、封裝技術(shù)與模塊化專場(chǎng)中,首次發(fā)布了采用硅襯底大功率LED芯片的手機(jī)閃光燈,并向與會(huì)者們分享并介紹了硅襯底大功率LED芯片應(yīng)用于閃光燈的優(yōu)勢(shì)以及未來(lái)LED閃光燈的發(fā)展趨勢(shì)。

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  硅襯底大功率LED芯片作為手機(jī)閃光燈的光源具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì):硅襯底大功率LED芯片是垂直電極結(jié)構(gòu)芯片,可承受大電流、可靠性高,符合手機(jī)閃光燈瞬間工作電流大的要求;單面出光,方向性好,不會(huì)有多余的側(cè)光影響攝像頭工作狀態(tài),從而引起眩光;更為重要的是,硅襯底LED芯片適合熒光粉直涂工藝,可使光源顏色均勻性更好,拍照出來(lái)的效果更好,無(wú)光暈、光斑等現(xiàn)象。

  目前,LED手機(jī)閃光燈的主流封裝是采用陶瓷封裝以獲得高性能。得益于晶能光電的硅襯底LED芯片光源優(yōu)勢(shì)和領(lǐng)先的陶瓷封裝技術(shù),此次發(fā)布的LED手機(jī)閃光燈實(shí)現(xiàn)了320 Lm 的超高亮度,+/-350K的超窄色溫范圍以及CRI >85%的優(yōu)秀色彩還原表現(xiàn)力,性能比國(guó)外廠商的主流產(chǎn)品性能更優(yōu)越。

  未來(lái)LED手機(jī)閃光燈不但是綜合成本和性能的較量,更多的是LED光源制造商、手機(jī)制造商、手機(jī)用戶三方的互動(dòng),是綜合解決方案的價(jià)值體現(xiàn)。隨著全球智能手機(jī)市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng),中國(guó)品牌手機(jī)的市場(chǎng)份額呈現(xiàn)逐年大幅提升的趨勢(shì)。晶能光電瞄準(zhǔn)手機(jī)LED閃光燈巨大的市場(chǎng)前景,利用硅襯底LED芯片的光源優(yōu)勢(shì)應(yīng)用于手機(jī)閃光燈的優(yōu)勢(shì),結(jié)合精密的驅(qū)動(dòng)和Lens設(shè)計(jì)與加工,為客戶提供手機(jī)閃光燈的全套模組方案,同時(shí)也為手機(jī)用戶提供更加優(yōu)越的拍照體驗(yàn)。這是晶能光電布局手機(jī)閃光燈市場(chǎng)的“與眾不同”。


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