芯片，是LED的核心部件。目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類，則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。

襯底材料技術(shù)成關(guān)鍵

目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍(lán)寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵，但這兩種材料價格都非常昂貴，且都為國外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價格比藍(lán)寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高M(jìn)OCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破國際專利壁壘，晶能光電從2006年成立以來，就專注硅襯底LED芯片的研究和開發(fā)，也是目前世界上唯一一家將硅襯底LED產(chǎn)品推向市場的公司。

從襯底角度看，藍(lán)寶石和碳化硅襯底技術(shù)已經(jīng)相對成熟，但硅已經(jīng)成為芯片領(lǐng)域今后的發(fā)展趨勢。對于價格戰(zhàn)日益嚴(yán)重的LED市場來說，硅襯底更有成本和價格優(yōu)勢：硅襯底是導(dǎo)電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍(lán)寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。

目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。

硅襯底芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)

晶能光電從公司成立之初，就創(chuàng)新性地運用“硅”代替?zhèn)鹘y(tǒng)的藍(lán)寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，并在全球率先將具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。這是一項改寫半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)。國家863專家組對此項技術(shù)的評價是：“打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國CREE公司壟斷碳化硅基半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面，形成了藍(lán)寶石、碳化硅、硅基半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面?！?/span>

2009年晶能光電推出硅襯底小功率LED產(chǎn)品，2012年推出硅襯底大功率LED產(chǎn)品，2013年在廣州國際照明展上，晶能光電展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯(lián)合下游中節(jié)能晶和照明公司推出的采用大功率LED芯片的路燈模組，引起了國內(nèi)外眾多行業(yè)人士的廣泛關(guān)注。硅襯底LED大功率芯片發(fā)光效率由2011年的90流明/瓦提升到目前的150流明/瓦，產(chǎn)品性能已與當(dāng)前市場上主流的藍(lán)寶石LED產(chǎn)品水平相當(dāng)，甚至在部分領(lǐng)域超過了當(dāng)前的主流技術(shù)。

未來三年，全球LED照明呈井噴式增長，硅襯底LED技術(shù)將以技術(shù)創(chuàng)新提升競爭優(yōu)勢、垂直整合打造規(guī)模發(fā)展、渠道建設(shè)營造品牌效應(yīng)，三駕馬車迎接挑戰(zhàn)。