高亮度LED主要分為紅外光的GaAs體系和AlGaAs體系，紅、橙、黃、綠色的AlGaInP體系，綠色和藍(lán)色的InGaN體系，以及紫外光的GaN和AlGaN體系。白光應(yīng)用是藍(lán)光LED芯片的重要市場，也是最為重要的發(fā)展方向，其采用藍(lán)光芯片加YAG黃色熒光粉從而形成白光光源。目前，國際LED大廠在大功率藍(lán)光芯片方面有著較為明顯的優(yōu)勢(shì)，而國內(nèi)LED芯片企業(yè)目前主要是在中小功率藍(lán)光芯片方面有較大的發(fā)展，但由于前幾年的過度投資引起了產(chǎn)能過剩，導(dǎo)致中小功率藍(lán)光芯片市場出現(xiàn)了較為嚴(yán)重的“價(jià)格戰(zhàn)”。

硅襯底LED芯片漸受關(guān)注

目前市場上主流的藍(lán)光芯片一般都是在藍(lán)寶石襯底上生長，其中以日本日亞公司為代表；此外還有一種藍(lán)光芯片是在碳化硅襯底上生長，以美國科銳公司為代表。

近年來硅襯底上生長的藍(lán)光LED芯片越來越受到人們的關(guān)注。硅襯底由于可以采用IC廠的自動(dòng)生產(chǎn)線，比較容易采納目前IC工廠的6寸和8寸線的成熟工藝，再加上大尺寸硅襯底成本相對(duì)低廉，因而未來硅襯底LED芯片的成本預(yù)期會(huì)大幅度下降，也可促進(jìn)半導(dǎo)體照明的快速滲透。

硅基LED芯片在特性有下列特點(diǎn)：

1.垂直結(jié)構(gòu)，采用銀反射鏡鏡，可使電流分布更均勻，從而實(shí)現(xiàn)大電流驅(qū)動(dòng)；

2.硅襯底散熱性好，有利于芯片的散熱；

3.具有朗伯發(fā)光形貌，出光均勻，容易進(jìn)行二次光學(xué)；

4.適于陶瓷基板封裝；

5.適合于LED閃光燈和方向性較強(qiáng)的照明應(yīng)用，可應(yīng)用于室內(nèi)、室外和便攜式照明市場。

在硅基LED芯片的開發(fā)上，晶能光電在2009年就曾推出小功率硅基LED芯片，被廣泛地應(yīng)用于數(shù)碼顯示領(lǐng)域。2012年6月晶能光電在廣州發(fā)布了新一代大功率硅基LED芯片產(chǎn)品，引起了國內(nèi)外LED產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注，推出了包括28mil、35mil、45mil和55mil在內(nèi)的四款硅基大功率LED芯片，其中45mil芯片達(dá)到了120lm/w的光效，并在年底達(dá)到了130lm/w，且可靠性良好。硅基LED芯片陶瓷封裝后，與國際知名的產(chǎn)品相比，具有良好的性價(jià)比，引起了國內(nèi)外封裝廠和LED燈具廠的極大興趣。

高亮度芯片面臨的發(fā)展瓶頸

當(dāng)前，半導(dǎo)體照明市場的進(jìn)一步發(fā)展要求藍(lán)光LED芯片的光效要不斷提升，成本要不斷下降。目前科銳基于碳化硅的LED芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了200lm/w光效產(chǎn)品的量產(chǎn)，研發(fā)水平光效可以達(dá)到276lm/w。在LED芯片成本下降和光效提升的這一競賽中，目前正遇到以下幾個(gè)發(fā)展瓶頸。

第一是藍(lán)光芯片存在的Droop效應(yīng)。在大電流密度條件下，發(fā)光二極管的外量子效率會(huì)下降，有試驗(yàn)表明Droop效應(yīng)是由包括俄歇效應(yīng)在內(nèi)的多種原因引起，這個(gè)效應(yīng)限制了藍(lán)光芯片在大電流密度下的使用，從而阻礙了流明成本的下降。

第二是綠色能隙(Greengap)和紅色能隙(Redgap)。當(dāng)波長從藍(lán)光進(jìn)入到綠光波段時(shí)，LED的量子效率會(huì)下降，如530nm的綠光量子效率下降很快；對(duì)于紅光而言，在深紅色光譜中內(nèi)部量子效率可以達(dá)到100%，但對(duì)理想白光光源中的橘紅色發(fā)光波長(如614nm)而言，其效率迅速下降。這些效應(yīng)限制了綠光和紅光芯片的光效提升，延緩了未來的高質(zhì)量白光的產(chǎn)生。另外，綠光及黃光LED效率也受到本身極化場的沖擊，而這個(gè)效應(yīng)會(huì)隨著更高的銦原子濃度而變得更強(qiáng)。

第三是外延的異質(zhì)生長問題。由于外延生長時(shí)晶體中存在缺陷，形成大的位錯(cuò)密度和缺陷，從而導(dǎo)致光效下降和壽命下降。目前藍(lán)光芯片無論是碳化硅、藍(lán)寶石、硅襯底技術(shù)都是異質(zhì)外延，在襯底和外延晶體之間存在晶格失配導(dǎo)致位錯(cuò)，同時(shí)由于熱膨脹系數(shù)的差別在外延生長后的降溫過程中產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致外延層出現(xiàn)缺陷、裂紋、晶片彎曲等。襯底的質(zhì)量直接影響著外延層的晶體質(zhì)量，從而影響光效和壽命。如果采用GaN同質(zhì)襯底進(jìn)行外延生長，利用非極性技術(shù)，可最大限度地減少活性層的缺陷，使得LED芯片的電流密度比傳統(tǒng)芯片高5-10倍，大幅提高發(fā)光效率。據(jù)報(bào)道首爾半導(dǎo)體采用同質(zhì)襯底開發(fā)的nPola新產(chǎn)品，與目前的LED相比，在相同面積上的亮度高出了5倍，但GaN同質(zhì)襯底對(duì)于LED而言仍過于昂貴。

總體而言，硅基LED芯片由于可以在6寸或者8寸的硅襯底上進(jìn)行外延生長，可以大幅度降低LED的成本，從而加速半導(dǎo)體照明應(yīng)用時(shí)代的來臨。